點擊咨詢產品高溫反偏老化測試系統(HTRB2003)
該系統可進行室溫＋10℃~200℃ 的高溫反偏老化測試，老化過程中實時監測被測器件的漏電流狀態、被測器件的電壓狀態，并根據需要記錄老化試驗數據，導出試驗報表。
功能
- nA級別的漏電流檢測精度
- 整機30s的全工位數據刷新
- 獨特高壓抑制電路，器件瞬間擊穿不影響其他工位老化進程
- 可定制工位老化電壓獨立控制功能，實現單工位老化超限剔除
- 充分的實驗員人體安全考慮設定
產品特性
試驗溫區 | 1個 |
試驗溫度 | 室溫+10~200℃ |
老化試驗區 | 16區(16/32/40/48區可選) |
單區工位數 | 80(典型) |
老化電壓范圍 | 0~±2000V |
電壓檢測精度 | ±(1%+2LSB) |
電流檢測范圍 | 10nA~50mA |
電流檢測精度 | ±(1%+10nA) |
整機供電 | 三相AC380V±38V |
最大功率 | 8KW(典型) |
整機重量 | 680KG(典型) |
整機尺寸 | 1400mm(W)×1400mm(D)×2000mm(H) |
適用標準
GJB128 MIL-STD-750D AQG324
適用器件
適用于MOS管、二極管、三極管、IGBT模塊、PIM模塊、可控硅等